A. Lý thuyết
I. Chất bán dẫn
Chất bán dẫn là chất có độ dẫn điện ở mức trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện. Chất bán dẫn hoạt động như mộ chất cách điện ở nhiệt độ thấp và có tính dẫn điện ở nhiệt độ phòng.
Tính chất:
- Điện trở suất nằm trung gian giữa điện trở suất của kim loại và điện trở suất của điện môi. Ở nhiệt độ thấp, điện trở suất của bán dẫn tinh khiết rất lớn. Khi nhiệt độ tăng, điện trở suất giảm nhanh, hệ số nhiệt điện trở có giá trị âm (sự dẫn điện riêng của chất bán dẫn).
- Điện trở suất của chất bán dẫn phụ thuộc mạnh vào tạp chất.
- Điện trở suất của bán dẫn cũng giảm đáng kể khi bị chiếu sáng hoặc bị tác dụng của các tác nhân ion hóa khác.
II. Hạt tải điện trong chất bán dẫn. Phân loại bán dẫn
Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng các electron dẫn chuyển động ngược chiều điện trường và dòng các lỗ trống chuyển động cùng chiều điện trường.
Bản chất dòng điện trong chất bán dẫn là do dòng electron chuyển động có hướng sinh ra.
Phân loại: Dựa vào hạt tải điện trong chất bán dẫn ta chia bán dẫ làm hai loại:
- Bán dẫn loại n
- Bán dẫn loại p
Nội dung | Bán dẫn loại n | Bán dẫn loại p |
Định nghĩa | Là chất bán dẫn mà hạt tải điện trong đó mang điện âm. | Là chất bán dẫn mà hạt tải điện trong đó mang điện dương |
Hạt tải điện | electron | lỗ trống |
Tạp chất | Tạp chất cho (đôno): sinh ra electron dẫn, thường là những nguyên tố có 5 electron hóa trị như P, As,... | Tạp chất nhận (axepto): nhận electron và sinh ra lỗ trống, thường là những nguyên tố có 3 electron hóa trị như B, Al,... |
III. Lớp chuyển tiếp p – n
Định nghĩa: lớp chuyển tiếp p – n là chỗ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên một tinh thể bán dẫn.
1. Lớp nghèo
Tại lớp chuyển tiếp p – n, có sự nối lại liên kết của electron và lỗ trống làm mất đi các hạt tải điện gọi là lớp nghèo.
Tại lớp nghèo, phía bán dẫn n có các ion đôno tích điện dương, phía bán dẫn p có các ion axepto tích điện âm. Điện trở của lớp nghèo rất lớn.
2. Dòng điện qua lớp nghèo
Dòng điện qua lớp nghèo chỉ chạy từ miền p sang miền n, ta gọi lớp chuyển tiếp p – n có tính chỉnh lưu. Dòng điện qua được lớp nghèo (từ p sang n) là chiều thuận, chiều kia là chiều ngược.
Tính chỉnh lưu: Tính chất của một phần tử điện chỉ cho dòng điện đi theo một chiều.
3. Hiện tượng phun hạt tải điện
Hiện tượng phun hạt tải điện từ miền này sang miền khác là hiện tượng xảy ra khi hạt tải điện đi vào lớp nghèo có thể đi tiếp sang miền đối diện.
IV. Điot bán dẫn và tranzito
1. Điot bán dẫn
Điot bán dẫn là một lớp chuyển tiếp p – n.
Công dụng: dùng để chỉnh lưu dòng điện xoay chiều, biến mạch xoay chiều thành mạch một chiều.
2. Tranzito lưỡng cực n – p - n
Hiệu ứng tranzito: là hiệu ứng dòng điện chạy từ B sang E làm thay đổi điện trở RCB.
Tranzito lưỡng cực n – p – n là tinh thể bán dẫn được pha tạp để tạo ra một miền p rất mỏng kẹp giữa hai miền n1 và n2.
Cấu tạo: gồm 3 cực:
- Cực góp hay colecto, kí hiệu C.
- Cực đáy hay cực gốc, hoặc bazo, kí hiệu B.
- Cực phát hay emito, kí hiệu E
- Công dụng: khuếch đại tín hiệu điện.
B. Bài tập & Lời giải
Câu 2: SGK trang 106:
Điểm khác nhau chính giữa nguyên tử đôno và axepto đối với silic là gì?
Xem lời giải
Câu 3: SGK trang 106:
Mô tả cách sinh ra electron và lỗ trống trong bán dẫn tinh khiết, bán dẫn n, bán dẫn p.
Xem lời giải
Câu 5: SGK trang 106:
Khi nào thì một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n trên một tinh thể được xem là tranzito n – p – n?
Xem lời giải
Câu 6: SGK trang 106:
Phát biểu nào dưới đây là chính xác?
Người ta gọi silic là chất bán dẫn vì
A. nó không phải là kim loại, cũng không phải là điện môi.
B. hạt tải điện trong đó có thể là electron và lỗ trống.
C. điện trở suất của nó rất nhạy cảm với nhiệt độ, tạp chất, và các tác nhân ion khác.
D. cả ba lí do trên.
Xem lời giải
Câu 7: SGK trang 106,107:
Phát biểu nào dưới đây về tranzito là chính xác?
A. Một lớp bán dẫn loại p kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n là tranzito n – p – n.
B. Một lớp bán dẫn loại n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại p không thể xem là tranzito.
C. Một lớp bán dẫn loại p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn loại n luôn có khả năng khuếch đại.
D. Trong tranzito n – p – n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền emito cũng cao hơn miền bazo.